NVH820S75L4SPB IGBT 模块_深圳市集达胜电子科技有限公司

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供应NVH820S75L4SPB IGBT 模块

型号/规格：

NVH820S75L4SPB IGBT

品牌/商标：

NVH820S75L4SPB IGBT

封装：

X2QFN-12

批号：

TUSB211QRWBRQ1

逻辑系列：

VHC

最小工作温度：

- 55 C

询价

产品信息

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 6-Pack
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 750 V
集电极—射极饱和电压: 1.3 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 500 uA
Pd-功率耗散: 1 kW
封装 / 箱体: 183AB
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
封装: Tray
商标: onsemi
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
产品类型: IGBT Modules
4
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: VE-Trac
单位重量: 1.289 kg

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 6-Pack
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 750 V
集电极—射极饱和电压: 1.3 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 500 uA
Pd-功率耗散: 1 kW
封装 / 箱体: 183AB
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
封装: Tray
商标: onsemi
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
产品类型: IGBT Modules
4
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: VE-Trac
单位重量: 1.289 kg

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 6-Pack
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 750 V
集电极—射极饱和电压: 1.3 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 500 uA
Pd-功率耗散: 1 kW
封装 / 箱体: 183AB
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
封装: Tray
商标: onsemi
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
产品类型: IGBT Modules
4
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: VE-Trac
单位重量: 1.289 kg
IGBT 模块 IGBT 模块

NVH820S75L4SPB IGBT 模块

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IGBT 模块 IGBT 模块 IGBT 模块

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集成电路(IC)(17)

连接器/接插件(15)

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